β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究 |
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引用本文: | 朱应涛,杨传路,王美山,董永绵.β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究[J].中国物理 B,2008,17(2):1048-1053. |
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作者姓名: | 朱应涛 杨传路 王美山 董永绵 |
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作者单位: | 鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025;鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025;鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025;鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:10674114)资助的课题. |
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摘 要: | 分别用PW91,B3LYP两种密度泛函方法和全电子高斯基组对β-Si3N4的几何结构进行全优化(包括晶格参数和原子坐标),结果和实验值符合良好. 同时计算了能带结构和态密度.在此基础上分别用上述两种方法计算了Γ点拉曼振动频率,并按对称性进行分类,将得到的11种拉曼活性模式的频率值与实验值以及其他文献值进行了比较,进一步确定了Ag模式为中等频率,值约459cm-1. 计算结果表明
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关 键 词: | 振动频率, 密度泛函理论, 电子结构, β-Si3N4 |
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