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层状半导体WSe2的电子结构和各向异性光学性质研究
引用本文:张晏蜜,曹妍,杨胭脂,李佳龙,廖杨芳.层状半导体WSe2的电子结构和各向异性光学性质研究[J].低温物理学报,2021,43(2):135-139.
作者姓名:张晏蜜  曹妍  杨胭脂  李佳龙  廖杨芳
作者单位:贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001
摘    要:采用第一性原理密度泛函理论研究了六角层状晶体 WSe2 的电子结构和各向异性光学性质. 结果表明:WSe2 为间接带隙半导体, 带隙值为1 .44 eV, 略小于实验值(1 .51 eV) ; 价带和导带均主要由 W-5d 和Se-4p 电子构成, 在价带顶(0~2eV) 及导带底(1 .5 ~3.5 eV) , W-5d 和 Se-4p 电子杂化明显, 形成共价键. 介电函数的虚部和实部均表现出明显的各向异性,εi (xx ) 有一个明显的介电吸收峰, 而εi (zz ) 却有两个明显的介电吸收峰; WSe2 晶体对zz 光的低频透明区的能量范围几乎是xx 光的2 倍, 应用 WSe2 晶体的这一特性可以制备不同要求的偏振片.

关 键 词:WSe2  电子结构  光学性质  各向异性  第一性原理

Electronic Structure and Anisotropic Optical Properties of Layered Semiconductor WSe2
ZHANG Yanmi,CAO Yan,YANG Yanzhi,LI Jialong and LIAO Yangfang.Electronic Structure and Anisotropic Optical Properties of Layered Semiconductor WSe2[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2021,43(2):135-139.
Authors:ZHANG Yanmi  CAO Yan  YANG Yanzhi  LI Jialong and LIAO Yangfang
Institution:College of Physics and Electronic Sciences , Guizhou Normal University , Guiyang 550001,College of Physics and Electronic Sciences , Guizhou Normal University , Guiyang 550002,College of Physics and Electronic Sciences , Guizhou Normal University , Guiyang 550003,College of Physics and Electronic Sciences , Guizhou Normal University , Guiyang 550004 and College of Physics and Electronic Sciences , Guizhou Normal University , Guiyang 550005
Abstract:
Keywords:WSe2  electronic structure  optical properties  anisotropy  first principles
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