| 包覆型纳米CeO2@SiO2复合磨料的制备?表征及其抛光性能 |
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| 引用本文： | 隆仁伟,陈 杨,赵晓兵,陈志刚.包覆型纳米CeO2@SiO2复合磨料的制备?表征及其抛光性能[J].摩擦学学报,2009,29(5):412-417. |
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| 作者姓名： | 隆仁伟 陈 杨 赵晓兵 陈志刚 |
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| 作者单位： | 江苏工业学院材料科学与工程学院;常州市高分子新材料重点实验室; |
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| 基金项目： | 江苏省工业支撑计划资助项目(BE2008037);;常州市工业科技攻关资助项目(CE2007068、CE2008083) |
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| 摘 要： | 以无水乙醇为溶剂,氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯(TEOS)水解,并在500℃下煅烧1h,制备了SiO2粉体.将SiO2粉体作为内核浸渍到以硝酸亚铈、乙酰丙酮和正丙醇为原料制备的铈溶胶中,得到包覆型CeO2@SiO2复合粉体.利用XRD、SEM、TEM和FT-IR等测试手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小、团聚情况进行表征.将所制备的包覆型CeO2@SiO2复合粉体配制成抛光浆料用于砷化镓晶片的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度.结果表明,采用浸渍工艺成功制备出单分散球形,粒径在400～450nm,负载均匀的包覆型CeO2@SiO2复合粉体.复合粉体中CeO2的包覆量随着铈溶胶中铈离子浓度的升高而增大.经包覆型CeO2@SiO2复合磨料抛光后的砷化镓晶片表面的微观起伏更趋于平缓,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.819nm,获得了具有亚纳米量级粗糙度的抛光表面.
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| 关 键 词： | CeO2@SiO2复合磨料 浸渍 包覆 砷化镓 抛光 |
Preparation and Characterization of CeO2@SiO2 Composite Abrasive and Its Polishing Performance |
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| LONGRen-wei,CHENYang,ZHAOXiao-bing and CHENZhi-gang.Preparation and Characterization of CeO2@SiO2 Composite Abrasive and Its Polishing Performance[J].Tribology,2009,29(5):412-417. |
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| Authors: | LONGRen-wei CHENYang ZHAOXiao-bing and CHENZhi-gang |
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| Institution: | 1. Department of material and engineering;Jiangsu polytechnic university Changzhou;Jiangsu 213164;China2. Key laboratory of polymer materials;Changzhou city;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CeO2@SiO2 composite abrasive impregnating coating gallium arsenide polishing |
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