| Cd扩散对InSb晶体质量的影响 |
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| 引用本文： | 刘豫东,邹红英,杜红燕,董硕,朱继满,马莒生.Cd扩散对InSb晶体质量的影响[J].激光与红外,2002,32(2):114-116. |
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| 作者姓名： | 刘豫东 邹红英 杜红燕 董硕 朱继满 马莒生 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学材料系,北京,100084
2. 华北光电研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑，对小坑的成分进行了分析，，并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实现发现坑中Cd浓度约44%。
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| 关 键 词： | InSb材料 Cd扩散 缺陷 电性能 |
| 文章编号： | 1001-5078(2002)02-0114-03 |
| 修稿时间： | 2001年12月21 |
Influence of Cd Diffusion on InSb Material |
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| LIU Yu dong ,ZOU Hong ying ,DU Hong yan ,DONG Shuo ,ZHU Ji man ,MA Ju sheng.Influence of Cd Diffusion on InSb Material[J].Laser & Infrared,2002,32(2):114-116. |
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| Authors: | LIU Yu dong ZOU Hong ying DU Hong yan DONG Shuo ZHU Ji man MA Ju sheng |
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| Institution: | LIU Yu dong 1,ZOU Hong ying 2,DU Hong yan 2,DONG Shuo 2,ZHU Ji man 1,MA Ju sheng 1 |
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| Abstract: | After the diffusion processing,there were high density tiny pits on the wafer surface the components of the tiny pits were analyzed,and the elementary conclusion about the cause of pits's formation were proponer,the concentration of Cd in the pits was about 44%. |
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| Keywords: | InSb material Cd diffusion defects |
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