| 硅直接键合界面附近的深能级研究 |
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| 引用本文： | 卢励吾,周洁,封松林,钱照明,彭青.硅直接键合界面附近的深能级研究[J].物理学报,1994,43(5):785-789. |
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| 作者姓名： | 卢励吾 周洁 封松林 钱照明 彭青 |
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| 作者单位： | (1)北京半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所; (2)浙江大学电力电子技术研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金和浙江省自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０13－１０14ｃｍ-3之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理
关键词：
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| 关 键 词： | 硅 键合 界面 能级 直接键合 |
| 收稿时间： | 1993-04-15 |
THE DEEP LEVEL STUDIES OF n-Si/n+-Si INTERFACE IN SILICON DIRECT BONDING |
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| LU LI-WU,ZHOU JIE,FENG SONG-LIN,QIAN ZHAO-MING and PENG QING.THE DEEP LEVEL STUDIES OF n-Si/n+-Si INTERFACE IN SILICON DIRECT BONDING[J].Acta Physica Sinica,1994,43(5):785-789. |
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| Authors: | LU LI-WU ZHOU JIE FENG SONG-LIN QIAN ZHAO-MING and PENG QING |
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| Keywords: | |
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