| 宽范围偏置电流下的GaAlAs红外发光二极管1/f噪声特性 |
| |
| 作者姓名： | 包军林 庄奕琪 杜磊 胡瑾 |
| |
| 作者单位： | (宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所, ),西安,710071 |
| |
| 基金项目： | Supported by the National natural Science Foundation of China （ 60276028 ）, the National Defence Foudation （51411040601DZ014）and the Key lab Foundation of National defence Science ＆ Technology （51433030103DZ01） |
| |
| 摘 要： | 在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,在大电流区γ≈2.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAsIRLED1/f噪声模型,该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落.该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据.
|
| 关 键 词： | 1/f噪声 红外发光二极管 涨落 氧化层陷阱 |
| 收稿时间： | 2005-02-28 |
| 修稿时间： | 2005-02-28 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光子学报》下载全文 |
|
