0.25 μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理 |
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引用本文: | 麻仕豪,化宁,张亮,王茂森,王佳.0.25 μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理[J].微电子学,2020,50(5):761-765. |
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作者姓名: | 麻仕豪 化宁 张亮 王茂森 王佳 |
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作者单位: | 上海航天电子技术研究所, 上海 201109;上海航天技术研究院, 上海 201109 |
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摘 要: | GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同温度下栅极漏电流曲线进行拟合,结果表明,栅极漏电流在常温下由隧穿电流机制主导,在高温下由陷阱辅助发射机制主导。在高温关态应力下对栅极漏电流随应力时间变化的过程进行表征,从时间层面再次验证了两种机制在不同温度下发生转变的过程。
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关 键 词: | 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 栅极漏电流 漏电机制 |
收稿时间: | 2020/5/10 0:00:00 |
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