| 一种7~13 GHz低插损6位数字衰减器 |
| |
| 引用本文： | 翟英慧,万晶,林福江,叶甜春,阎跃鹏,梁晓新.一种7~13 GHz低插损6位数字衰减器[J].微电子学,2021,51(3):324-329. |
| |
| 作者姓名： | 翟英慧 万晶 林福江 叶甜春 阎跃鹏 梁晓新 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学 微纳电子系统集成研究中心, 合肥 230026;中国科学院微电子研究所,北京 100029;新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室, 北京 100029 |
| |
| 摘 要： | 设计了一种基于0.25 μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13 GHz范围内,该数字衰减器的RMS幅度误差小于0.5 dB,插入损耗小于5.6 dB,10 GHz时1 dB压缩点的输入功率约为29 dBm,附加相移为-7°~+6.5°,输入输出回波损耗小于-11 dB。芯片尺寸为2.50 mm×0.63 mm。
|
| 关 键 词： | 数字衰减器 低插入损耗 级联结构 补偿电路 |
| 收稿时间： | 2020/7/29 0:00:00 |
A 7~13 GHz Low Insertion Loss 6 bit Digital Attenuator |
| |
| ZHAI Yinghui,WAN Jing,LIN Fujiang,YE Tianchun,YAN Yuepeng,LIANG Xiaoxin.A 7~13 GHz Low Insertion Loss 6 bit Digital Attenuator[J].Microelectronics,2021,51(3):324-329. |
| |
| Authors: | ZHAI Yinghui WAN Jing LIN Fujiang YE Tianchun YAN Yuepeng LIANG Xiaoxin |
| |
| Institution: | Micro-Nano Electronic System Integration Center, Univ.of Science and Technology of China, Hefei 230026, P.R.China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;Beijing Key Laboratory of New Generation Communication RF Chip Technology, Beijing 100029, P.R.China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | digital attenuator low insertion loss cascade structure compensation circuit |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
