基于0.18μm CMOS工艺的宽带LCVCO设计 |
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引用本文: | 古鸽,段吉海,韦杰文,秦志杰.基于0.18μm CMOS工艺的宽带LCVCO设计[J].山西电子技术,2009(3):21-23. |
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作者姓名: | 古鸽 段吉海 韦杰文 秦志杰 |
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作者单位: | 桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林541004 |
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摘 要: | 介绍了LCVCO原理及实现超宽频率覆盖的实现方法。在此基础上设计了一个频率覆盖范围达1.022 GHz的宽带LCVCO,实现了1.092 GHz-2.114 GHz频段的覆盖,为了减小VCO增益KVCO的波动,采用了自控变容管阵列模块。设计的振荡器采用0.18μm RF CMOS工艺,在Cadence软件Spectre仿真工具上的仿真结果显示电路的压控增益KVCO控制在±37.5%之内,在2.1 GHz、1.5 GHz和1.1 GHz频率点上电路电流分别为2.1 mA、4.4 mA、7.5 mA,相噪分别为-118 dBc/Hz@1 MHz、-114 dBc/Hz@1 MHz、-114 dBc/Hz@1 MHz。
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关 键 词: | RFIC LCVCO 宽频率覆盖 KVCO波动 |
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