1.053μm激光产生逃逸电子的实验观测 |
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引用本文: | 祁兰英,沈华忠,金根芝.1.053μm激光产生逃逸电子的实验观测[J].强激光与粒子束,1995,7(4):608-612. |
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作者姓名: | 祁兰英 沈华忠 金根芝 |
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作者单位: | 西南核物理与化学研究所 |
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摘 要: | 利用1.053μm钕玻璃激光辐照Au、Ti、Ag及C_8H_8等材料平面靶,在不同功率密度I_L下测量了等离子体中由于反常吸收而产生的逃逸高能电子能谱。测量是由一台可变磁场90°焦β谱仪完成的。测量结果表明:在谱仪测量的能量范围内,热电子分布中的高能尾部在高能电子能谱中所占的比重是完全可以忽略的。我们所测的电子能谱大多数可以用麦克斯韦分布来描述,高能电子温度T_h一般为30~70keV。实验得到Au、Ti、C_8H_8平面靶T_h与I_L之间的关系式。
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关 键 词: | 逃逸电子 高能电子能谱 功率密度 聚焦β谱仪 麦克斯韦分布 等离子体诊断 记录系统 钕玻璃激光 |
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