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SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性
引用本文:张忠锁,赵伟,陈艳辉,李蕴才,黄亚彬,杜祖亮.SnO2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性[J].郑州大学学报(理学版),2004,36(4):23-27.
作者姓名:张忠锁  赵伟  陈艳辉  李蕴才  黄亚彬  杜祖亮
作者单位:1. 河南大学河南省特种功能材料重点实验室,河南,开封,475001
2. 开封市技术监督检验测试中心,河南,开封,475002
基金项目:河南省自然科学基金,河南大学校科研和教改项目
摘    要:将sol-gel方法制备的SnO2纳米颗粒涂覆在ITO(Indium-Tin-Oxide)导电玻璃上,用原子力显微镜的I-V测试功能测试其微区电特性.结果表明,不同粒度的伏-安特性曲线具有不同的双向阈值电压,随颗粒度的减小,开启电压减小.用表面能带理论分析结果表明,此现象与纳米SnO2颗粒度尺寸效应和氧空位有关.

关 键 词:纳米材料  气敏材料  电子输运特性
文章编号:1671-6841(2004)04-0023-05
修稿时间:2004年5月14日

Electrical Transport Properties in Small Area of Nanometer Oxide SnO2
Zhang Zhongsuo,Zhao Wei,Chen Yanhui, Li Yuncai,Huang Yabin,Du Zuliang.Electrical Transport Properties in Small Area of Nanometer Oxide SnO2[J].Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition,2004,36(4):23-27.
Authors:Zhang Zhongsuo  Zhao Wei  Chen Yanhui  Li Yuncai  Huang Yabin  Du Zuliang
Institution:Zhang Zhongsuo1,Zhao Wei2,Chen Yanhui,1 Li Yuncai1,Huang Yabin1,Du Zuliang1
Abstract:Small area I-V characteristic of nanosized SnO 2 particles prepared by sol-gel method is studied. It is found that the I-V characteristic curve of nanosized SnO 2 have vary different region voltage with different particles size. The surface energy bend theory is used to analyze the I-V characteristic of nanosized SnO 2 and it should be related to the particles size effect and oxygen vacancy.
Keywords:SnO2
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