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| 压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察 | |
| 引用本文： | 吴亚桥,徐永波.压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察[J].电子显微学报,1998,17(5):533-534. |
| 作者姓名： | 吴亚桥 徐永波 |
| 作者单位： | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015 |
| 摘 要： | 晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生... |
| 关 键 词： | 压痕诱发 TEM 单晶硅 非晶化相变 |
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