用开管和闭管法气相生长单磷化硼 |
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引用本文: | TATAU UISHINAGA
,高瑛.用开管和闭管法气相生长单磷化硼[J].发光学报,1973(3). |
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作者姓名: | TATAU UISHINAGA 高瑛 |
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摘 要: | 从气相中热还原BBr_3和PCI_3,已经在硅衬底上外延生成1.0厘米~2×30微米大的单磷化硼的单晶层。 生长在{111}面上的层是闪锌矿结构的单磷化硼单晶,而在{100}面上的层是多晶。未掺杂的BP单晶层通常是n型的,其电阻率为5×10~(-3)欧姆·厘米。 用垂直闭管法也生成了BP小晶体,从实验中得到BP的迁移率是碘浓度的函数。
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