| 半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究 |
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| 引用本文： | 颜永美,孙宜阳,丁小勇,陈议明.半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究[J].物理学报,2000,49(12):2448-2454. |
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| 作者姓名： | 颜永美 孙宜阳 丁小勇 陈议明 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，厦门 361005 |
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| 摘 要： | 通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算，分析了同一样品处于不同氛围中，以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律，探讨了出现这一规律的内在机理，解释了各有关的物理现象.
关键词：
半导体表面
气体分子
吸附机理
光伏方法
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| 关 键 词： | 半导体表面 气体分子 吸附机理 光伏方法 |
| 收稿时间： | 5/7/2000 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2000-05-07 |
STUDY ON THE ADSORPTION MECHANISM OF GASEOUS MOLECULES ON SURFACE OF SEMICONDUCT OR BY PHOTOVOLTAIC METHOD |
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| YAN YONG-MEI,SUN YI-YANG,DING XIAO-YONG,CHEN YI-MING.STUDY ON THE ADSORPTION MECHANISM OF GASEOUS MOLECULES ON SURFACE OF SEMICONDUCT OR BY PHOTOVOLTAIC METHOD[J].Acta Physica Sinica,2000,49(12):2448-2454. |
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| Authors: | YAN YONG-MEI SUN YI-YANG DING XIAO-YONG CHEN YI-MING |
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| Abstract: | The relative surface parameters were determined by photovoltaic method in p and n type silicon in a wafer under the atmospheric, oxygenic, and nitric environmen ts, respectively. The inherent mechanism is approached according to the paramete r variations, and the relative physical phenomena are explained. |
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| Keywords: | semiconductor surface gaseous molecules adsorption mechanism photovoltaic met hod |
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