| 团簇取样法计算六方晶系GaN晶体中N K-edge电子能量损失谱近阈精细结构 |
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| 引用本文： | 高尚鹏,张卫华,李家明,朱静.团簇取样法计算六方晶系GaN晶体中N K-edge电子能量损失谱近阈精细结构[J].中国科学A辑,2001,31(10):949-953. |
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| 作者姓名： | 高尚鹏 张卫华 李家明 朱静 |
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| 作者单位： | (1)清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室 ,北京 100084 ,中国;(2)清华大学物理系原子分子纳米科学研究中心 ,北京 100084 ,中国;(3)中国科学院物理研究所 ,北京 100084 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 19734030),国家973项目、国家863项目、攀登计划和科学技术部、国家高技术ICF委员会、教育部、清华大学985项目 |
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| 摘 要： | 利用多重散射自洽场方法，通过团簇取样计算了晶体的电子能量损失谱精细结构. GaN晶体中N K-edge 近阈结构的计算结果与实验谱线符合得很好.由于理论结果可以对不同能量损失区间的透射电子给出清楚标识，讨论了有关能量过滤像的实验.
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| 关 键 词： | 多重散射自洽场方法 GaN 能量损失谱精细结构 能量过滤像 团簇模型 |
| 收稿时间： | 2000-11-22 |
| 修稿时间： | 2000年11月22 |
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