| 用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格 |
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| 引用本文： | 徐建国,王建宝,盛篪,孙恒慧,郑思定,姚文华.用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格[J].半导体学报,1990,11(11):822-828. |
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| 作者姓名： | 徐建国 王建宝 盛篪 孙恒慧 郑思定 姚文华 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系 上海
(徐建国，王建宝，盛篪，孙恒慧)，复旦大学测试中心 上海
(郑思定)，复旦大学测试中心 上海(姚文华) |
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| 摘 要： | 对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。
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| 关 键 词： | 喇曼光谱 锗硅 应变层 超晶格 表征 |
Characterization of Ge-Si Strain-Layer Superlattice by Raman Scattering |
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| Xu Jianguo/.Characterization of Ge-Si Strain-Layer Superlattice by Raman Scattering[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(11):822-828. |
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| Authors: | Xu Jianguo/ |
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| Institution: | Xu Jianguo/Department of Physics,Fudan UniversityWang Jianbao/Department of Physics,Fudan UniversitySheng Chi/Department of Physics,Fudan UniversitySun Henghui/Department of Physics,Fudan UniversityZheng Siding/Center for Analysis and Measurement,Fudan UniversityYao Wenhua/Center for Analysis and Measurement,Fudan University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Strain-layer superlattice Raman scattering Stress Intermixing of interface |
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