巴比妥酸葡萄糖基取代衍生物电子光谱和二阶非线性光学性质的理论研究 |
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作者姓名: | 冯静东 颜力楷 苏忠民 阚玉和 兰亚乾 廖奕 朱玉兰 |
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作者单位: | 东北师范大学化学学院功能材料化学研究所,长春 130024;淮阴师范学院化学系,江苏省低维材料化学重点建设实验室,淮安 223300;延边大学理工学院化学系,延吉 133002 |
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摘 要: | 应用量子化学AM1半经验方法分别对巴比妥酸及硫代巴比妥酸的葡萄糖基系列取代衍生物B1-5和T1-5进行几何优化。基于优化后的稳定构型,利用INDO/CI方法计算其电子光谱。同时,根据完全态求和(SOS)公式计算其二阶非线性光学系数。结果显示,当葡萄糖基单元数增加时,无论是巴比妥酸衍生物还是硫代巴比妥酸衍生物,|βμ| 均增大,尤其是硫代巴比妥酸衍生物增大更为显著,表明此种非共轭取代基同样可以改善材料的非线性光学性质。此外,随葡萄糖基链增长时,光谱的变化并不十分显著,且由于所有吸收带均在紫外光区内,因此推测所有体系均有望成为具有高度透明性的非线性光学侯选材料。
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关 键 词: | AM1 INDO/CI 电子光谱 二阶非线性光学性质 |
收稿时间: | 2004-10-29 |
修稿时间: | 2005-09-19 |
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