| 半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能 |
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| 引用本文： | 张喜田,许武,等.半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能[J].人工晶体学报,2001,30(2):159-162. |
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| 作者姓名： | 张喜田 许武 |
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| 作者单位： | [1]哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨150080 [2]中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室，长春130021 |
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| 基金项目： | 国家973及哈尔滨师范大学优秀青年教师基金资助项目 |
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| 摘 要： | 我们利用光致发光（PL）和激发光谱（PLE）技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光，首闪提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷，探索了GaAs量子阱结构的发光机理。
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| 关 键 词： | 光致发光 激发光谱 量子阱 激光制冷 上转换 性质 |
| 文章编号： | 1000-985X(2001)02-0159-04 |
| 修稿时间： | 2000年9月4日 |
Spectral Properties in
Semiconductor GaAs |
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