|
|||||
|
|
| 二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用 | |
| 引用本文： | 奚清扬,刘劲松,李子全,朱孔军,台国安,宋若谷.二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用[J].化学进展,2018,30(6):847-863. |
| 作者姓名： | 奚清扬 刘劲松 李子全 朱孔军 台国安 宋若谷 |
| 作者单位： | 1. 南京航空航天大学 材料科学与技术学院 南京 211106; 2. 南京航空航天大学 机械结构力学及控制国家重点实验室 南京 210016; 3. 南京邮电大学 材料科学与工程学院 南京 210003 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金（No.NS2017038）、国家自然科学基金项目（No.51372114，61474063，51672130）、江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目（No.201710287032X）和江苏省自然科学基金项目（No.BK20151475）资助 |
| 摘 要： | 过渡金属硫化物因能带结构与层数具有明显的依赖关系而受到广泛关注，尤其是二维二硫化钼（MoS2）薄膜因其优良的光电性能而成为研究热点。目前，化学气相沉积法（CVD）和剥离法已成为制备MoS2薄膜的主要方法，但这两种方法均存在难以精确控制MoS2层数的问题，研究证实通过刻蚀手段能够对MoS2薄膜层数进行进一步加工，从而得到单层或特定层数的样品。本文综述了基于不同刻蚀原理的MoS2薄膜刻蚀技术的国内外研究进展，分析讨论了不同刻蚀技术对刻蚀后MoS2薄膜质量的影响，介绍了MoS2刻蚀方法在场效应晶体管（FET）以及其他光电器件领域的实际应用和发展前景，最后对将来研究中需要着力解决的问题进行了展望。 |
| 关 键 词： | 二硫化钼 刻蚀 单层 场效应晶体管 光电器件 |
| 收稿时间： | 2017-09-25 |
| 修稿时间： | 2017-12-27 |
Etching Methods and Application of Molybdenum Disulfide Film |
|
| Qingyang Xi,Jinsong Liu,Ziquan Li,Kongjun Zhu,Guoan Tai,Ruogu Song.Etching Methods and Application of Molybdenum Disulfide Film[J].Progress in Chemistry,2018,30(6):847-863. | |
| Authors: | Qingyang Xi Jinsong Liu Ziquan Li Kongjun Zhu Guoan Tai Ruogu Song |
| Institution: | 1. College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, China; 2. State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China; 3. College of Material Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | molybdenum disulfide etching monolayer field effect transistor (FET) optoelectronic devices |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《化学进展》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《化学进展》下载免费的PDF全文 | |