| 真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响 |
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| 引用本文： | 王溪,周松敏,孙常鸿,魏彦峰,沈灏,林春.真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响[J].红外与毫米波学报,2018,37(4):399-402. |
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| 作者姓名： | 王溪 周松敏 孙常鸿 魏彦峰 沈灏 林春 |
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| 作者单位： | 中国科学院大学;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 |
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| 摘 要： | 对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×10~(16)cm~(-3)左右升高至5.5×1016cm~(-3)左右.
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| 关 键 词： | Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布 |
| 收稿时间： | 2017/8/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/5/21 0:00:00 |
Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe |
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| WANG Xi,ZHOU Song-Min,SUN Chang-Hong,WEI Yan-Feng,SHEN Hao and LIN Chun.Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2018,37(4):399-402. |
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| Authors: | WANG Xi ZHOU Song-Min SUN Chang-Hong WEI Yan-Feng SHEN Hao and LIN Chun |
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| Institution: | University of Chinese Academy of Sciences,Key laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Key laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Key laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Key laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences and Key laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Au doped HgCdTe electron beam evaporation CdTe annealing carrier concentration distribution of Au |
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