首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
化学
晶体学
力学
数学
物理学
学报及综合类
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
毫米波半导体器件与其外延材料的发展
引用本文:
王向武,陆春一.毫米波半导体器件与其外延材料的发展[J].半导体杂志,1994,19(3):20-29.
作者姓名:
王向武
陆春一
作者单位:
南京电子器件研究所
摘 要:
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展.
关 键 词:
毫米波
异质结
HEMT
HBT
崩越二极管
外延材料
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号