| SiO2/HfO2高反射膜的研制 |
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| 引用本文： | 程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276 |
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| 作者姓名： | 程鑫彬 沈正祥 焦宏飞 马彬 张锦龙 丁涛 王占山 |
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| 作者单位： | 1.同济大学 物理系,先进微结构材料教育部重点实验室,上海 200092;;;2.同济大学 精密光学工程技术研究所,上海 200092 |
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| 基金项目： | 国家级.国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响，测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明：调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50 MPa。同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2，同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55 J/cm2。
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| 关 键 词： | 应力 面形 吸收 节瘤缺陷 预处理 激光损伤 |
| 收稿时间： | 2011-05-24 |
| 修稿时间： | 2011-12-16 |
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