| CMOS MOCCII高频非理想特性研究 |
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| 引用本文： | 曹捷,王春华.CMOS MOCCII高频非理想特性研究[J].电路与系统学报,2008,13(5). |
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| 作者姓名： | 曹捷 王春华 |
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| 作者单位： | 1. 湘潭大学,信息工程学院,湖南,湘潭,411105
2. 湖南大学,计算机通信学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南省自然科学基金，湘潭大学博士启动基金科研项目，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文用高频小信号等效电路对MOCCII电路进行了分析,提出了vx/vy的双二次模型理论.采用最小二乘法中的最速下降法根据MOCCII的PSPICE仿真曲线对该模型进行最小二乘曲线拟合,得出双二次模型各参数.拟合后曲线与PSPICE仿真曲线在取样点误差的方均根值为10-7数量级:同时对Iz/Ix的单极点模型和Iz-/Ix的双极点模型均进行了最小二乘曲线拟合,得出了模型参数,拟合后曲线与PSPICE仿真曲线在取样点误差的方均根根值为10-5数量级.这些MOCCII(CCII)高频模型在高频滤波器等电路的设计中具有重要的意义.
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| 关 键 词： | 非理想特性 高频滤波器 |
Study on high frequency non-ideal characteristic of CMOS MOCCII |
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| CAO Jie,WANG Chun-hua.Study on high frequency non-ideal characteristic of CMOS MOCCII[J].Journal of Circuits and Systems,2008,13(5). |
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| Authors: | CAO Jie WANG Chun-hua |
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| Keywords: | CCII MOCCII |
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