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| AlGaN多量子阱342nm紫外激光二极管 | |
| 引用本文： | 翁占坤.AlGaN多量子阱342nm紫外激光二极管[J].光机电信息,2009,26(2):16-20. |
| 作者姓名： | 翁占坤 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 发短波长的紫外光半导体激光二极管和光激发二极管的实现激起了人们对其在许多应用领域的关注和兴趣．如化学／生物化学分析、高密度数据存贮和材料加工。III族氮化物材料是制备这些器件的最理想的候选材料之一。本文介绍了一种AlGaN多量子阱激光二极管，其发射波长为342nm，这是迄今为止报道的最短波长的电驱动激光二极管。 |
| 关 键 词： | 半导体激光二极管 AlGaN 多量子阱 紫外光 生物化学分析 材料加工 数据存贮 发射波长 |
A 342-nm Ultraviolet AlGaN Multiple Quantum-well Laser Diode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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