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| 美国国家半导体公司主要工艺的失效率 | |
| 引用本文： | 所刘涌.美国国家半导体公司主要工艺的失效率[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(4). |
| 作者姓名： | 所刘涌 |
| 作者单位： | 信息产业部电子第五研究 |
| 摘 要： | 美国国家半导体公司的主要圆片制造工艺的早期失效率（PPM）和长期失效率（FIT）如表1所示。早期失效率是以X2分布、60％置信度来计算的。长期失效率则以阿列尼斯（Arrhenius）公式、激活能为0.7eV、应力温度降到55℃应用温度时、60％置信度计算出来的。 |
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