| AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响 |
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| 引用本文： | 张进城,王冲,杨燕,张金凤,冯倩,李培咸,郝跃.AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响[J].半导体学报,2005,26(12):2396-2400. |
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| 作者姓名： | 张进城 王冲 杨燕 张金凤 冯倩 李培咸 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国防科技预研基金
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国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN AlN阻挡层 二维电子气 HEMT 阻挡层 AlGaN HEMT 器件性能 影响 Layer Spacer Effect 研究 比较 工艺制造 材料 二维电子气 异质结 生长 蓝宝石衬底 MOCVD 低压 利用 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)12-2396-05 |
| 修稿时间： | 2005年4月26日 |
Effect of an AlN Spacer Layer on AlGaN/GaN HEMTs |
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| Zhang Jincheng,Wang Chong,Yang Yan,Zhang,Zhang Jinfeng,Feng Qian,Li Peixian and Hao Yue.Effect of an AlN Spacer Layer on AlGaN/GaN HEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):2396-2400. |
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| Authors: | Zhang Jincheng Wang Chong Yang Yan Zhang Zhang Jinfeng Feng Qian Li Peixian and Hao Yue |
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| Abstract: | AlGaN/GaN and AlGaN/AlN/GaN heterostructure two-dimensional electron gas materials are grown on sapphire substrates by low-pressure MOCVD technique.AlGaN/GaN HEMTs and AlGaN/AlN/GaN HEMTs are fabricated by the same device processes.The effects of an AlN spacer layer on the device performance of AlGaN/GaN HEMTs are studied by comparing the DC characteristics of these two different devices. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN AlN spacer layer two-dimensional electron gas HEMT |
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