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| MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体的发展趋势 | |
| 引用本文： | 陈纪安.MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体的发展趋势[J].激光与红外,1990,20(3):29-32. |
| 作者姓名： | 陈纪安 |
| 作者单位： | 华北光电所 |
| 摘 要： | 本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存在的主要问题是外延层和衬底之间的互扩散和晶格失配。为此,在有机金属源、衬底外延工艺和生长方法上加以改进,因而发展成为:常压(标准)、低压、低温、光致、激光辅助MOCVD和化学束外延(CBE)等六种方法。 |
| 关 键 词： | HgCdTe 薄膜晶体 MOCVD法 晶体生长 |
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