| 退火对ZnO薄膜质量的影响 |
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| 引用本文： | 董鑫,刘大力,闫小龙,张源涛,杜国同,高忠民.退火对ZnO薄膜质量的影响[J].发光学报,2005,26(4):535-537. |
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| 作者姓名： | 董鑫 刘大力 闫小龙 张源涛 杜国同 高忠民 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林长春130023 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（0001）衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜，通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较，研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知，经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强，且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强，而深能级发光峰明显减弱；而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱，而深能级峰显著增强。
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| 关 键 词： | 蓝宝石 氧化锌薄膜 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 退火 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）04-0535-03 |
| 收稿时间： | 2004-08-25 |
| 修稿时间： | 2004-12-25 |
Effects of Anneal on Properties of ZnO Thin Films |
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| DONG Xin,LIU Da-li,YAN Xiao-Long,ZHANG Yuan-tao,DU Guo-tong,GAO Zhong-min.Effects of Anneal on Properties of ZnO Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(4):535-537. |
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| Authors: | DONG Xin LIU Da-li YAN Xiao-Long ZHANG Yuan-tao DU Guo-tong GAO Zhong-min |
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| Keywords: | sapphire ZnO films MOCVD XRD annealing |
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