| 与In扩散进GaAs中相关的超导相的发现 |
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| 引用本文： | 李永康,周均铭.与In扩散进GaAs中相关的超导相的发现[J].物理,1992,21(9):571-572. |
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| 作者姓名： | 李永康 周均铭 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所
(李永康，周均铭，黄绮，江潮，梅笑冰)，中国科学院物理研究所(范戆) |
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| 摘 要： | 一、背 景 1991年6月10日美国加州大学伯克利分校材料科学系J.M.Baranowski等人发表文章,题为“Evidence for Superconductivity inLow-Temperature-Grown GaAs”.1]此文详细报道了他们用LT-GaAs(用分子束外延方法低温生长的GaAs样品)在电子自旋共振谱仪(EPR)上,采用磁场调制微波吸收的方法(FMMA),在温度T-10K时,观察到微波吸收的突变,这个行为清楚地表明:在这个温度下存在相变,这与高温超导体微波吸收特征相似.与此同时,又进行了迈斯纳效应的实验,从而证实了LT-GaAs中存在超导相. 关于超导相的起源,作者认为是由于LT-GaAs样…
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| 关 键 词： | 半导体 砷化镓 铟 超导相 |
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