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| Nb_3Sn超导带材在高磁场下的临界电流 | |
| 引用本文： | 周廉,崔长庚.Nb_3Sn超导带材在高磁场下的临界电流[J].低温物理学报,1985(1). |
| 作者姓名： | 周廉 崔长庚 |
| 作者单位： | 宝鸡有色金属研究所 (周廉)，中国科学院物理所(崔长庚) |
| 摘 要： | 本文报告了扩散Nb_3Sn和气相沉积Nb_3Sn带材样品在4.2K、高磁场(～22T)下的临界电流测量结果,表明这两种材料具有良好的超导性能,在12T下,其Jc(Nb_3Sn)分别为3.0×10~3A/cm~2及2.9×10~5A/cm~2;在15T下分别为1.4×10~5A/cm~2及6.0×10~4A/cm~2.文中对测量结果进行了简要评价. |
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