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钽掺杂氧化钨薄膜电致变色性能
引用本文:孙喜莲,方燕群,曹洪涛.钽掺杂氧化钨薄膜电致变色性能[J].光学学报,2014(10).
作者姓名:孙喜莲  方燕群  曹洪涛
作者单位:南昌大学材料科学与工程学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
基金项目:江西省教育厅青年科学基金(GJJ13009);浙江省自然科学基金(Y12E20040)
摘    要:为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、循环稳定性进行了表征和分析,研究了钽掺杂对氧化钨薄膜结构及电致变色性能的影响。结果表明,适量掺杂可以调节薄膜的微观结构,使薄膜中的裂纹减少,表面更为均匀;但当掺杂过度时,薄膜太过致密,甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象,影响了薄膜的多孔性和均匀性,阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散;相对于未掺杂的氧化钨薄膜,适量钽掺杂的薄膜具有更宽的光谱调制范围和更高的着色效率,亦表现出良好的循环稳定性。

关 键 词:薄膜  电致变色  氧化钨薄膜  钽掺杂  电化学循环稳定性
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