|
|||||
|
|
| Ac掺杂β-FeSi_2光电性质的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 张春红 张忠政 闫万珺 周士芸 桂放 郭本华 |
| 作者单位： | 安顺学院数理学院;安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心;安顺学院电子与信息工程学院; |
| 基金项目： | 贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合科技基金资金资助项目[黔科合J字LKA(2012)15号];贵州省科技厅自然科学基金[黔科合J字(2010)2001];贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目[黔高教发KY(2011)278号];安顺学院2013年度青年项目(2013AQ08) |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法,对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明:Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化,晶胞体积增大。电子结构的计算表明:Ac掺入后导致费米面进入导带,能带结构仍为准直接带隙,但是带隙明显变窄;费米能级附近,总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定,Ac的6d层电子态密度贡献很小。光学性质的计算表明:静态介电常数ε1(0)明显提高,介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱,折射率n0明显提高,消光系数k向低能方向有一微小的偏移,吸收峰增强,平均反射效应变化不大,计算结果为β-FeSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据。 |
| 关 键 词： | 材料 β-FeSi 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |