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| GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化 | |
| 引用本文： | 曹先安,陈溪滢,李喆深,苏润洲,丁训民,侯晓远,钱峰,姚晓峨,陈效建.GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化[J].半导体学报,1997,18(1):76-80. |
| 作者姓名： | 曹先安 陈溪滢 李喆深 苏润洲 丁训民 侯晓远 钱峰 姚晓峨 陈效建 |
| 作者单位： | [1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺． |
| 关 键 词： | 硫钝化 砷化镓 HBT |
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