| 电容-电压测试在TiO2压敏材料晶界势垒研究中的应用 |
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| 引用本文： | 张永强,苏文斌,程杰.电容-电压测试在TiO2压敏材料晶界势垒研究中的应用[J].枣庄师专学报,2007,24(2):11-13. |
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| 作者姓名： | 张永强 苏文斌 程杰 |
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| 作者单位： | 济宁学院物理系，山东大学物理与微电子学院，济宁学院物理系 山东济宁273155，山东大学物理与微电子学院，山东济南250100，山东济南250100，山东济宁273155 |
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| 摘 要： | 通过电容—电压(C-V)测试,测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数,测试结果显示99.75mol%TiO2 0.25 mol%WO3的样品势垒高度为0.51 eV,施主浓度Nd为1.62×1025/m3.类比ZnO压敏材料,本文认为晶界处吸附的O-、O2-是形成晶界势垒的主要原因.
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| 关 键 词： | C-V测试 压敏 晶界势垒 |
| 文章编号： | 1004-7077（2007）02-0011-03 |
| 收稿时间： | 2006-10-11 |
| 修稿时间： | 2006年10月11 |
Capacitance-voltage measurement of grain-boundary barrier in TiO2 varistors |
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| ZHANG Yong-qiang,SU Wen-bin,CHENG Jie.Capacitance-voltage measurement of grain-boundary barrier in TiO2 varistors[J].Journal of Zaozhuang Teachers' College,2007,24(2):11-13. |
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| Authors: | ZHANG Yong-qiang SU Wen-bin CHENG Jie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C-V measurement varistors grain boundary barrier |
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