| NBTI效应及其对集成电路设计的影响 |
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| 引用本文： | 周晓明, 夏炎,.NBTI效应及其对集成电路设计的影响[J].电子器件,2007,30(2):407-410. |
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| 作者姓名： | 周晓明 夏炎 |
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| 作者单位： | 东南大学集成电路学院南京芯力微电子有限公司,南京,210016;东南大学集成电路学院南京芯力微电子有限公司,南京,210016 |
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| 摘 要： | 可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时间变化趋势的最新研究成果.最后介绍了SPICE考虑器件器件退化的电路模拟流程.在器件尺寸日益缩小的今天,这些将成为集成电路设计关注的焦点.
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| 关 键 词： | NBTI 尺寸缩小 p-MOSFET 集成电路设计 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)02-0407-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月3日 |
NBTI Effect and Its Affection on Designing of Integrated Circuits |
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| ZHOU Xiao-ming,XIA Yan.NBTI Effect and Its Affection on Designing of Integrated Circuits[J].Journal of Electron Devices,2007,30(2):407-410. |
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| Authors: | ZHOU Xiao-ming XIA Yan |
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| Institution: | National ASIC System Engineering Research Center /Nanjing Chipower Electronics Inc,Southeast University,Nanjing 210016,China |
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| Abstract: | Reliability analysis is one of the most important factors in modern integrated circuit design.The most important effect affecting circuit reliability-NBTI was introduced.The tendency of the degradation with different voltage and temperature stress enumerated.The simulation flow of SPICE considering reliability is given.With the scale of the device decreasing,these will be a main consideration in circuit design gradually. |
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| Keywords: | NBTI scale down p-MOSFET integrated circuits design |
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