| 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响 |
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| 引用本文： | 李晓婷,汪韬,赛小锋,高鸿楷.高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响[J].光子学报,2003,32(8):921-924. |
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| 作者姓名： | 李晓婷 汪韬 赛小锋 高鸿楷 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068;长安大学基础课部,西安,710061
2. 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (编号为 6 9876 0 4 5 ) |
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| 摘 要： | 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好。
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| 关 键 词： | LP-MOCVD GaAs/Ge 太阳电池 |
| 收稿时间： | 2002/9/19 |
| 修稿时间： | 2002年9月19日 |
Heating Treatments on LP-MOCVD GaAs/Ge Solar Cells |
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| Li Xiaoting,Wang Tao,Sai Xiaofeng,Gao Hongkai.Heating Treatments on LP-MOCVD GaAs/Ge Solar Cells[J].Acta Photonica Sinica,2003,32(8):921-924. |
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| Authors: | Li Xiaoting Wang Tao Sai Xiaofeng Gao Hongkai |
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| Institution: | 1. Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics, the Chinese Academy of Science, Xi’an 710068;2. Department of Elementary Courses, Chang’an University, Xi’an 710061 |
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| Abstract: | GaAs/Ge solar cells had been obtained on Ge substrate miscut 9°from (100) to (110) by a home-made low pressure MOCVD system.Its performance was investigated,and the testing results show that the annealing process influences the I-V characteristic of GaAs/Ge solar cell. The measurements indicate that annealing temperature of Ge substrate between 600 ℃ and 700 ℃ is better for the epitaxial of GaAs/Ge solar cells. |
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| Keywords: | LP-MOCVD GaAs/Ge Solar cell |
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