| 光催化半导体Ag_2ZnSnS_4的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 黄丹,鞠志萍,李长生,姚春梅,郭进.光催化半导体Ag_2ZnSnS_4的第一性原理研究[J].物理学报,2014(24):293-298. |
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| 作者姓名： | 黄丹 鞠志萍 李长生 姚春梅 郭进 |
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| 作者单位： | 湖南文理学院物理与电子科学学院;广西高校新能源材料及相关技术重点实验室,广西大学物理科学与工程技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61204104,11104069,51271061,61475045);广西自然科学基金(批准号:2014GXNSFCA118002);广西大学科研基金(批准号:XGZ130718);湖南省光电信息集成与光学制造技术重点实验室资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,对光催化水解半导体Ag2Zn Sn S4的改性方案做了理论研究.在与同类化合物的带边位置比较后发现,Cu与Ge共掺杂能够在Ag2Zn Sn S4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节,从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态.另外,Cu Ga Se2可与Ag2Zn Sn S4形成type-II型带阶结构,制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能.
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| 关 键 词： | 光催化半导体 AgZnSnS 带阶 电子结构优化 |
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