| Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究 |
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| 引用本文： | 徐亚东,刘航,何亦辉,周岩,介万奇.Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究[J].光谱学与光谱分析,2015,35(3):582-586. |
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| 作者姓名： | 徐亚东 刘航 何亦辉 周岩 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学, 凝固技术国家重点实验室, 陕西 西安 710072 |
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| 基金项目： | The National Natural Science Foundations of China,the National “973”Program,the Special-ized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China,the Foundation of Institu-te of Nuclear Physics and Chemistry,CAEP |
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| 摘 要： | 采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时，不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中，占主导的点缺陷类型存在较大的差异，进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法，可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现，电阻率较低的p型ZnTe晶体，其PL谱中，电子到中性受主复合发光峰(e, A0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP)，而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反，这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体，其PL谱中自由激子发光峰(D0, X)占主导，而(e, A0)峰强度高于DAP峰，变温PL谱测试表明当温度高于15 K时，(e, A0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰，与导带的能量差约为0.15 eV，主要与In补偿Cd空位形成的复合体In+CdV2-Cd]-有关，且其强度与In掺杂元素的含量成正比。
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| 关 键 词： | Ⅱ-Ⅵ族碲化物 光致发光谱 点缺陷 掺杂 |
| 收稿时间： | 2014-03-08 |
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