|
|||||
|
|
| 溅射法制备YAG:Ce3+荧光薄膜 | |
| 作者姓名： | 高康 朱归胜 徐华蕊 |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(21176051,61166008);教育部科学技术研究重点项目(211141) |
| 摘 要： | 以自制铈掺杂立方相钇铝石榴石(YAG∶Ce3+)荧光粉为原料经冷静压压制得到粉末靶材,在纯氩气气氛下通过射频磁控溅射法在石英玻片上镀膜,随后在氩气气氛下1100℃/3 h热处理得到YAG∶Ce3+荧光薄膜。系统探讨了溅射功率、靶间距等因素对YAG∶Ce3+荧光薄膜物理和发光性能的影响。分析发现采用粉末靶可以明显提高YAG∶Ce3+薄膜溅射沉积速率,在靶间距20 mm,溅射功率300 W的制备条件下得到的荧光薄膜经450 nm蓝光激发时,可发射524 nm的光,较商用荧光粉发射峰略有蓝移。粉末靶溅射制备荧光薄膜具有大规模实际应用潜力。 |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 YAG∶Ce3+荧光薄膜 光致发光 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |