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Strong solutions for pair diffusion models in homogeneous semiconductors
Authors:W. Merz, A. Glitzky, R. Hü  nlich,K. Pulverer
Affiliation:a Technische Universität München, Zentrum Mathematik, Arcisstr. 21, 80290 München, Germany;b Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, Mohrenstr. 39, 10117 Berlin, Germany;c Siemens AG, ICN WN CS EK D13, Schertlinstr. 8, 81359 München, Germany
Abstract:
Keywords:Dopant diffusion   Nonlinear reaction-drift-diffusion equations   Energy estimates   Leray–  Schauder
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