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针对RSA-CRT数字签名的光故障攻击研究
引用本文:王红胜,纪道刚,张阳,陈开颜.针对RSA-CRT数字签名的光故障攻击研究[J].电子设计工程,2015(6).
作者姓名:王红胜  纪道刚  张阳  陈开颜
作者单位:军械工程学院 信息工程系,河北 石家庄,050003
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61271152);国家自然科学基金资助项目(51377170);河北省自然科学基金资助项目
摘    要:通过研究密码芯片SRAM存储单元构造,利用激光改变进行运算的SRAM存储单元的逻辑状态,分析光注入对SRAM存储单元的影响。以Montgomery乘的 RSA-CRT数字签名算法为攻击对象,分析其算法的实现过程和故障注入机理。针对密码芯片实现的8位RSA-CRT签名算法,使用半导体激光作为注入光源,搭建光注入实验平台,在计算Sq时刻进行故障注入,从而得到故障签名,通过分析故障签名与N的关系,成功的获得了大素数q,验证了光故障攻击的有效性。

关 键 词:密码芯片  数字签名  RSA-CRT  光故障攻击  Montgomery乘

Optical fault attack on RSA-CRT signatures
WANG Hong-sheng,JI Dao-gang,ZHANG Yang,CHEN Kai-yan.Optical fault attack on RSA-CRT signatures[J].Electronic Design Engineering,2015(6).
Authors:WANG Hong-sheng  JI Dao-gang  ZHANG Yang  CHEN Kai-yan
Abstract:
Keywords:cryptographic chip  signatures  RSA-CRT  optical fault attack  montgomery multiplication
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