| 一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型 |
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| 引用本文： | 朱樟明,钱利波,杨银堂. 一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型[J]. 物理学报, 2009, 58(4) |
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| 作者姓名： | 朱樟明 钱利波 杨银堂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.
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| 关 键 词： | 纳米级CMOS 互连串扰 分布式 RLC解析模型 |
A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology |
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| Zhu Zhang-Ming,Qian Li-Bo,Yang Yin-Tang. A novel interconnect crosstalk RLC analytic model based on the nanometer CMOS technology[J]. Acta Physica Sinica, 2009, 58(4) |
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| Authors: | Zhu Zhang-Ming Qian Li-Bo Yang Yin-Tang |
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