| GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究 |
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| 引用本文： | 梁建,刘海瑞,王晓宁,董海亮,贾伟,贾虎生,许并社. GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究[J]. 无机化学学报, 2013, 29(5): 1019-1024 |
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| 作者姓名： | 梁建 刘海瑞 王晓宁 董海亮 贾伟 贾虎生 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024 |
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| 基金项目： | 高校长江学者和创新团队(No.IRT0972),山西省自然科学基金(No.2009021026; No. 2011011022-1)和山西省研究生优秀创新项目 (20113033) 资助项目。 |
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| 摘 要： | 本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法,在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜,然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌,结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征。结果表明:水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成,该纺锤体形状GaOOH有直径大约600 nm,长约为1.5~2μm。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化;但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN;而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365 nm的蓝光峰,这主要是由于样品由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN引起的。最后对排列整齐的锤体形构成的GaOOH薄膜的形成机理以及GaOOH向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析。
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| 关 键 词： | GaOOH薄膜 GaN薄膜 水热方法 氨化 |
| 收稿时间： | 2012-10-18 |
| 修稿时间： | 2012-12-25 |
Fabrication of GaN Film by Two Step Methods and Transformation of Physical Properties |
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| LIANG Jian,LIU Hai-Rui,WANG Xiao-Ning,DONG Hai-Liang,JIA Wei,JIA Hu-Sheng and XU Bing-She. Fabrication of GaN Film by Two Step Methods and Transformation of Physical Properties[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2013, 29(5): 1019-1024 |
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| Authors: | LIANG Jian LIU Hai-Rui WANG Xiao-Ning DONG Hai-Liang JIA Wei JIA Hu-Sheng XU Bing-She |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China;College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaOOH film GaN film hydrothermal method ammoniation |
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