InAs/GaAs系列量子点研究 |
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引用本文: | 王建峰,商耀辉,武一宾,牛晨亮,卜夏正.InAs/GaAs系列量子点研究[J].半导体情报,2009,46(7):410-413. |
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作者姓名: | 王建峰 商耀辉 武一宾 牛晨亮 卜夏正 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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摘 要: | 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10^-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。
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关 键 词: | 自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱 |
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