| ZnGeP2单晶生长与安瓿设计研究 |
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| 引用本文： | 梁栋程,赵北君,朱世富,陈宝军,何知宇,范强,徐婷.ZnGeP2单晶生长与安瓿设计研究[J].人工晶体学报,2010,39(4):834-837. |
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| 作者姓名： | 梁栋程 赵北君 朱世富 陈宝军 何知宇 范强 徐婷 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863)项目 |
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| 摘 要： | 根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右.在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22 mm×40 mm的ZnGeP2单晶.对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063 °;晶片在2～12 μm波段范围内的红外透过率达50;以上.实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体.
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| 关 键 词： | 磷锗锌 安瓿设计 XRD分析 IR透过谱 |
Study on Growth and Ampoule Design for ZnGeP2 Single Crystal |
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| LIANG Dong-cheng,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,CHEN Bao-jun,HE Zhi-yu,FAN Qiang,XU Ting.Study on Growth and Ampoule Design for ZnGeP2 Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(4):834-837. |
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| Authors: | LIANG Dong-cheng ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu CHEN Bao-jun HE Zhi-yu FAN Qiang XU Ting |
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