| 溶胶–凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究 |
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| 引用本文： | 吴春春,杨辉,冯博,陆文伟. 溶胶–凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究[J]. 电子元件与材料, 2004, 23(7): 22-24 |
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| 作者姓名： | 吴春春 杨辉 冯博 陆文伟 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系,浙江,杭州,310027;宁波际荣电子股份有限公司,浙江,余姚,315491 |
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| 基金项目： | 中小型企业科技创新项目，00C26213310610， |
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| 摘 要： | 采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/ SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从89.0%降至84.2%),结合三方面性能,得出最佳SnO2的配比为:γ(SnO2/ SiO2)=10.
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| 关 键 词： | 抗静电 薄膜 溶胶—凝胶 掺锑氧化锡 |
| 文章编号： | 1001-2028(2004)07-0022-03 |
| 修稿时间： | 2004-01-14 |
Research on the Characteristics of Antimony Doped Tin Oxide(ATO)- SiO2 Antistatic Composite Thin Film by Sol-gel |
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| WU Chun-chun,YANG Hui,FENG Bo,LU Wen-wei. Research on the Characteristics of Antimony Doped Tin Oxide(ATO)- SiO2 Antistatic Composite Thin Film by Sol-gel[J]. Electronic Components & Materials, 2004, 23(7): 22-24 |
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| Authors: | WU Chun-chun YANG Hui FENG Bo LU Wen-wei |
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| Affiliation: | WU Chun-chun1,YANG Hui1,FENG Bo1,LU Wen-wei2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | antistatic thin film sol-gel ATO (antimony doped tin oxide) |
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