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| 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究 | |
| 作者姓名： | 张丽卿 张崇宏 杨义涛 姚存峰 孙友梅 李炳生 赵志明 宋书建 |
| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院"西部之光"人才培养计划、中国科学院近代物理研究所所长基金资助的课题 |
| 摘 要： | 用不同电荷态的126Xeq+离子(9≤q≤30)在室温下轰击GaN晶体表面,经原子力显微镜分析表明,当q>18,辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时,样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关;在实验参数范围,与入射离子的初动能没有明显关系(180 keV≤Ek≤600 keV).当入射离子的电荷态q=18,与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时,样品的表面几乎没有变化,只是倾斜入射后有很微小的隆起;当q＜18时,样品表面膨胀隆起,粗糙度增强,倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显,而且都有清晰的峰状分界区;当q＞18时,样品表面被蚀刻呈凹陷状,有明显的齿状刻痕,且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系,倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度. |
| 关 键 词： | 高电荷态离子 GaN晶体 原子力显微镜 表面形貌 |
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