| Ga-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能 |
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| 引用本文： | 张腾,钟志有. Ga-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能[J]. 光谱实验室, 2013, 30(5) |
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| 作者姓名： | 张腾 钟志有 |
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| 作者单位： | 中南民族大学电子信息工程学院 武汉市洪山区民族大道708号 430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目，中南民族大学学术团队基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用ZnO:Ga2O3:TiO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度.当生长温度为620K时GTZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 掺杂氧化锌 透明导电薄膜 |
Preparation and Optoelectrical Performance of Ga-Ti Codoped ZnO Thin Films |
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| ZHANG Teng , ZHONG Zhi-You. Preparation and Optoelectrical Performance of Ga-Ti Codoped ZnO Thin Films[J]. Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory, 2013, 30(5) |
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| Authors: | ZHANG Teng ZHONG Zhi-You |
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