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| 基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角计算(英文) | |
| 引用本文： | 刘华松,姜玉刚,王利栓,姜承慧,季一勤.基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角计算(英文)[J].光子学报,2013,42(7):817-822. |
| 作者姓名： | 刘华松 姜玉刚 王利栓 姜承慧 季一勤 |
| 作者单位： | 1. 天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室,天津,300192 2. 天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室,天津300192;同济大学物理系先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092 3. 天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室,天津300192;哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,哈尔滨150080 |
| 基金项目： | The National Natural Science Foundation of China(No.61235011);Tianjin Municipal Government of China(Nos.13JCYBJC17300,12JCQNJC01200) |
| 摘 要： | 对基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角进行了数值计算.结果显示:当基底的消光系数小于0.01时,基底的赝布儒斯特角主要是由折射率决定;当基底的消光系数大于0.1时,基底的赝布儒斯特角不仅与折射率有关,而且还与消光系数有关,随着消光系数发生后周期性变化.研究表明:单层膜-基底系统的赝布儒斯特角主要由膜层的物理厚度、折射率、基底的光学常量所决定;在HfO2-硅和HfO2-融石英基底系统中,赝布儒斯特角随着入射光波长和膜层厚度的变化呈现准周期性规律变化,可能是由入射光在膜层的干涉效应引起的. |
| 关 键 词： | 光学常量 折射率 消光系数 膜层-基底系统 赝布儒斯特角 |
Calculation of Pseudo-brewster Angle for Substrate and Thin Film-substrate System |
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| LIU Hua-song , JIANG Yu-gang , WANG Li-shuan , JIANG Cheng-hui , JI Yi-qin.Calculation of Pseudo-brewster Angle for Substrate and Thin Film-substrate System[J].Acta Photonica Sinica,2013,42(7):817-822. | |
| Authors: | LIU Hua-song JIANG Yu-gang WANG Li-shuan JIANG Cheng-hui JI Yi-qin |
| Institution: | 1,3(1 Tianjin Key Laboratory of Optical Thin Film,Tianjin Jinhang Institute of Technical Physics,Tianjin300192,China)(2 Key Laboratory of Advanced Micro-Structure Materials(Ministry of Education),Department of Physics,Tongji University,Shanghai 200092,China)(3 National Key Laboratory of Science and Technology on Tunable Laser,Institute of Optical-electronics,Harbin Institute of Technology,Harbin150080,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | Optical constant Refractive index Extinction coefficient Thin-film substrate system Pseudo-Brewster angle |
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