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金属诱导低温制备多晶硅薄膜工艺新进展
引用本文:杨奕凡,李亚莉,宋化雨,郝会颖,邢杰,董敬敬. 金属诱导低温制备多晶硅薄膜工艺新进展[J]. 光谱实验室, 2013, 30(5)
作者姓名:杨奕凡  李亚莉  宋化雨  郝会颖  邢杰  董敬敬
作者单位:1. 中国地质大学(北京)数理学院 北京市海淀区学院路29号 100083;中国地质大学(北京)材料科学与工程学院 北京市海淀区学院路29号 100083
2. 中国地质大学(北京)数理学院 北京市海淀区学院路29号 100083
基金项目:中国地质大学(北京)大学生A类创新实验项目,中央高校基本科研业务费项目
摘    要:多晶硅薄膜由于兼具稳定性、高光敏性、便于大面积沉积等优势成为目前光伏领域的研究热点.本文综述了近几年金属诱导非晶硅薄膜晶化的新工艺,介绍了各种工艺条件对多晶硅薄膜材料的结构、金属含量的调控规律.最后展望了未来的发展趋势.

关 键 词:金属诱导晶化  非晶硅  多晶硅薄膜

New Progress of Low-Temperature Metal-Induced Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film
YANG Yi-Fan , LI Ya-Li , SONG Hua-Yu , HAO Hui-Ying , XING Jie , DONG Jing-Jing. New Progress of Low-Temperature Metal-Induced Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film[J]. Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory, 2013, 30(5)
Authors:YANG Yi-Fan    LI Ya-Li    SONG Hua-Yu    HAO Hui-Ying    XING Jie    DONG Jing-Jing
Abstract:
Keywords:
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